Справочник IGBT. SKM75GB063D

 

SKM75GB063D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM75GB063D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKM75GB063D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:786K  semikron
skm75gb063d.pdfpdf_icon

SKM75GB063D

 7.1. Size:456K  semikron
skm75gb12t4.pdfpdf_icon

SKM75GB063D

SKM75GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 115 ATj = 175 CTc =80C 88 AICnom 75 AICRM ICRM = 3xICnom 225 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 97 ATj = 175 CSKM75GB12T4Tc =80C 73 A

 7.2. Size:489K  semikron
skm75gb12v.pdfpdf_icon

SKM75GB063D

SKM75GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 114 ATj = 175 CTc =80C 87 AICnom 75 AICRM ICRM = 3xICnom 225 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 97 ATj = 175 CSKM75GB12VTc =80C 73 AIFnom 75 A

 7.3. Size:592K  semikron
skm75gb124d.pdfpdf_icon

SKM75GB063D

Другие IGBT... SKM50GB063D , SKM50GB123D , SKM50GD063DL , SKM50GDL063DL , SKM50GH063DL , SKM75GAL063D , SKM75GAL123D , BRG60N65D , TGD30N40P , SKM75GB123D , SKM75GB124D , SKM75GB173D , SKM75GD123D , SKM75GD124D , SKM75GDL123D , SM2G100US120 , SM2G100US60 .

History: APT50GF60JU3 | SKM50GB12V | MG15Q6ES51 | CM15TF-12H | CM1800HC-34N | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P

 

 
Back to Top

 


 
.