SM2G150US60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SM2G150US60
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
Тип корпуса: 7PM-BB
Аналог (замена) для SM2G150US60
SM2G150US60 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... SKM75GB124D , SKM75GB173D , SKM75GD123D , SKM75GD124D , SKM75GDL123D , SM2G100US120 , SM2G100US60 , SM2G150US120 , STGW60V60DF , SM2G200US120 , SM2G200US60 , SM2G300US60 , SM2G400US60 , SM2G50US120 , SM2G50US60 , SM2G75US120 , SM2G75US60 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630