SM2G300US60 - аналоги и описание IGBT

 

SM2G300US60 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SM2G300US60

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS

Тип корпуса: 7PM-BB

 Аналог (замена) для SM2G300US60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SM2G300US60 даташит

No data!

Другие IGBT... SKM75GD124D , SKM75GDL123D , SM2G100US120 , SM2G100US60 , SM2G150US120 , SM2G150US60 , SM2G200US120 , SM2G200US60 , NGTB75N65FL2 , SM2G400US60 , SM2G50US120 , SM2G50US60 , SM2G75US120 , SM2G75US60 , SMBH1G100US120 , SMBH1G100US60 , SMBH1G150US120 .

History: NCE30TD60BP | MG75Q2YS40 | AFGHL75T65SQ | AFGHL75T65SQDT | DDB6U134N16RR-B11 | IGC54T65R3QE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.