SM2G50US60 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SM2G50US60
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Тип корпуса: 7PM-AA
Аналог (замена) для SM2G50US60
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SM2G50US60 даташит
No data!
Другие IGBT... SM2G100US60 , SM2G150US120 , SM2G150US60 , SM2G200US120 , SM2G200US60 , SM2G300US60 , SM2G400US60 , SM2G50US120 , RJH60F5DPQ-A0 , SM2G75US120 , SM2G75US60 , SMBH1G100US120 , SMBH1G100US60 , SMBH1G150US120 , SMBH1G150US60 , SMBH1G200US120 , SMBH1G200US60 .
History: IXXK200N60C3 | SMBH1G100US60
History: IXXK200N60C3 | SMBH1G100US60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125