SMBH1G100US120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SMBH1G100US120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Тип корпуса: 7PM-BB

 Аналог (замена) для SMBH1G100US120

 

 

SMBH1G100US120 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... SM2G200US120 , SM2G200US60 , SM2G300US60 , SM2G400US60 , SM2G50US120 , SM2G50US60 , SM2G75US120 , SM2G75US60 , TGPF30N40P , SMBH1G100US60 , SMBH1G150US120 , SMBH1G150US60 , SMBH1G200US120 , SMBH1G200US60 , SMBH1G300US60 , SMBH1G400US60 , SMBH1G50US120 .