SMBH1G400US60 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SMBH1G400US60
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 178 nS
Тип корпуса: 7PM-EA
Аналог (замена) для SMBH1G400US60
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SMBH1G400US60 даташит
No data!
Другие IGBT... SM2G75US60 , SMBH1G100US120 , SMBH1G100US60 , SMBH1G150US120 , SMBH1G150US60 , SMBH1G200US120 , SMBH1G200US60 , SMBH1G300US60 , IXRH40N120 , SMBH1G50US120 , SMBH1G50US60 , SMBH1G75US120 , SMBH1G75US60 , SMBL1G100US120 , SMBL1G100US60 , SMBL1G150US120 , SMBL1G150US60 .
History: FGA6540WDF | SMBH1G75US60 | MG300N1US1 | DGTD120T25S1PT | FGY60T120SQDN | FGPF15N60UNDF | SKM400GA123D
History: FGA6540WDF | SMBH1G75US60 | MG300N1US1 | DGTD120T25S1PT | FGY60T120SQDN | FGPF15N60UNDF | SKM400GA123D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135