SMBH1G50US60 - аналоги и описание IGBT

 

SMBH1G50US60 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SMBH1G50US60

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Тип корпуса: 7PM-AA

 Аналог (замена) для SMBH1G50US60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SMBH1G50US60 даташит

No data!

Другие IGBT... SMBH1G100US60 , SMBH1G150US120 , SMBH1G150US60 , SMBH1G200US120 , SMBH1G200US60 , SMBH1G300US60 , SMBH1G400US60 , SMBH1G50US120 , XNF15N60T , SMBH1G75US120 , SMBH1G75US60 , SMBL1G100US120 , SMBL1G100US60 , SMBL1G150US120 , SMBL1G150US60 , SMBL1G200US120 , SMBL1G200US60 .

History: 6MBP10VAA120-50 | MG300N1US1 | SKM400GA124D | 6MBP150VEA120-50 | DGTD120T40S1PT | SKM200GB123D | SKM300GB174D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.