SMBL1G200US60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SMBL1G200US60
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Тип корпуса: 7PM-BB
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SMBL1G200US60 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... SMBH1G50US60 , SMBH1G75US120 , SMBH1G75US60 , SMBL1G100US120 , SMBL1G100US60 , SMBL1G150US120 , SMBL1G150US60 , SMBL1G200US120 , FGPF4533 , SMBL1G300US60 , SMBL1G400US60 , SMBL1G50US120 , SMBL1G50US60 , SMBL1G75US120 , SMBL1G75US60 , SMC7G10US120 , SMC7G10US60 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet