SMBL1G400US60 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SMBL1G400US60
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 178 nS
Тип корпуса: 7PM-EA
Аналог (замена) для SMBL1G400US60
SMBL1G400US60 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... SMBH1G75US60 , SMBL1G100US120 , SMBL1G100US60 , SMBL1G150US120 , SMBL1G150US60 , SMBL1G200US120 , SMBL1G200US60 , SMBL1G300US60 , IRG4PC40UD , SMBL1G50US120 , SMBL1G50US60 , SMBL1G75US120 , SMBL1G75US60 , SMC7G10US120 , SMC7G10US60 , SMC7G15US120 , SMC7G15US60 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2