SMBL1G50US120 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SMBL1G50US120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
Тип корпуса: 7PM-AA
Аналог (замена) для SMBL1G50US120
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SMBL1G50US120 даташит
No data!
Другие IGBT... SMBL1G100US120 , SMBL1G100US60 , SMBL1G150US120 , SMBL1G150US60 , SMBL1G200US120 , SMBL1G200US60 , SMBL1G300US60 , SMBL1G400US60 , IRGP4063 , SMBL1G50US60 , SMBL1G75US120 , SMBL1G75US60 , SMC7G10US120 , SMC7G10US60 , SMC7G15US120 , SMC7G15US60 , SMC7G20US120 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet