SMBL1G75US120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SMBL1G75US120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Тип корпуса: 7PM-AA

 Аналог (замена) для SMBL1G75US120

 

 

SMBL1G75US120 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... SMBL1G150US120 , SMBL1G150US60 , SMBL1G200US120 , SMBL1G200US60 , SMBL1G300US60 , SMBL1G400US60 , SMBL1G50US120 , SMBL1G50US60 , TGAN40N60FD , SMBL1G75US60 , SMC7G10US120 , SMC7G10US60 , SMC7G15US120 , SMC7G15US60 , SMC7G20US120 , SMC7G20US60 , SMC7G25US120 .