SMC7G25US120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SMC7G25US120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
Тип корпуса: 21PM-BA
Аналог (замена) для SMC7G25US120
SMC7G25US120 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... SMBL1G75US120 , SMBL1G75US60 , SMC7G10US120 , SMC7G10US60 , SMC7G15US120 , SMC7G15US60 , SMC7G20US120 , SMC7G20US60 , FGD4536 , SMC7G30US60 , SMC7G50US60 , SMC7G5US120 , SME6G10US120 , SME6G10US60 , SME6G15US120 , SME6G15US60 , SME6G20US120 .
History: BM63364S-VA | 2M410V
History: BM63364S-VA | 2M410V
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet