SME6G15US60 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SME6G15US60
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Тип корпуса: 17PM-BA
Аналог (замена) для SME6G15US60
SME6G15US60 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... SMC7G20US60 , SMC7G25US120 , SMC7G30US60 , SMC7G50US60 , SMC7G5US120 , SME6G10US120 , SME6G10US60 , SME6G15US120 , CRG40T60AN3H , SME6G20US120 , SME6G20US60 , SME6G25US120 , SME6G30US60 , SME6G50US60 , SME6G5US120 , SNG201017 , SNG201025 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2