SME6G20US120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SME6G20US120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
Тип корпуса: 17PM-CA
Аналог (замена) для SME6G20US120
SME6G20US120 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... SMC7G25US120 , SMC7G30US60 , SMC7G50US60 , SMC7G5US120 , SME6G10US120 , SME6G10US60 , SME6G15US120 , SME6G15US60 , SGT40N60NPFDPN , SME6G20US60 , SME6G25US120 , SME6G30US60 , SME6G50US60 , SME6G5US120 , SNG201017 , SNG201025 , SNG20620A .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194