SNG301010 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: SNG301010 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 550 nS
Тип корпуса: TO257
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SNG301010
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SNG301010 даташит
No data!
Другие IGBT... SME6G20US60, SME6G25US120, SME6G30US60, SME6G50US60, SME6G5US120, SNG201017, SNG201025, SNG20620A, IHW20N120R3, SNG30610, SNG30610A, SNG401225, SNG40660, STGB10N60L, STGB10NB37LZ, STGB20NB32LZ, STGB20NB37LZ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837
