SNG401225 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SNG401225  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 650 nS

Тип корпуса: TO258

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SNG401225

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SNG401225 даташит

No data!

Другие IGBT... SME6G50US60, SME6G5US120, SNG201017, SNG201025, SNG20620A, SNG301010, SNG30610, SNG30610A, SGT60N60FD1P7, SNG40660, STGB10N60L, STGB10NB37LZ, STGB20NB32LZ, STGB20NB37LZ, STGB30NB60H, STGB3NB60HD, STGB7NB60HD