STGD7NB60H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: STGD7NB60H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 560pF pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 55 nC
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для STGD7NB60H

 

 

STGD7NB60H Datasheet (PDF)

Другие IGBT... STGB10N60L , STGB10NB37LZ , STGB20NB32LZ , STGB20NB37LZ , STGB30NB60H , STGB3NB60HD , STGB7NB60HD , STGD3NB60S , SGT40N60FD2PN , STGP10N60L , STGP7NB60HD , STGP7NB60HDFP , STGW12NB60H , STGW20NB60H , STGW20NB60HD , STGW30NB60HD , STGW50NB60H .