STGD7NB60H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGD7NB60H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 560pF pF
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для STGD7NB60H
STGD7NB60H Datasheet (PDF)
stgd7nb60h.pdf
STGD7NB60HN-CHANNEL 7A - 600V - DPAKPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTD7NB60H 600 V
stgd7nb60h-1.pdf
STGD7NB60H-1N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGD7NB60H-1 600 V
stgd7nb60s.pdf
STGD7NB60SN-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGD7NB60S 600 V
stgd7nb120s-1.pdf
STGD7NB120S-1N-CHANNEL 7A - 1200V - IPAKPowerMESH IGBTPRELIMINARY DATATYPE VCES VCE(sat) ICSTGD7NB120S-1 1200 V
Другие IGBT... STGB10N60L , STGB10NB37LZ , STGB20NB32LZ , STGB20NB37LZ , STGB30NB60H , STGB3NB60HD , STGB7NB60HD , STGD3NB60S , CRG60T60AN3H , STGP10N60L , STGP7NB60HD , STGP7NB60HDFP , STGW12NB60H , STGW20NB60H , STGW20NB60HD , STGW30NB60HD , STGW50NB60H .
History: STGF30M65DF2
History: STGF30M65DF2
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320