STGD7NB60H аналоги, datasheet, параметры транзистора

STGD7NB60H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: STGD7NB60H 📄📄

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 560pF pF

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для STGD7NB60H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

..1. Size:327K st
stgd7nb60h.pdf pdf_icon

STGD7NB60H N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STD7NB60H 600 V

0.1. Size:313K st
stgd7nb60h-1.pdf pdf_icon

STGD7NB60H-1 N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGD7NB60H-1 600 V

5.1. Size:194K st
stgd7nb60s.pdf pdf_icon

STGD7NB60S N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGD7NB60S 600 V

7.1. Size:119K st
stgd7nb120s-1.pdf pdf_icon

STGD7NB120S-1 N-CHANNEL 7A - 1200V - IPAK PowerMESH IGBT PRELIMINARY DATA TYPE VCES VCE(sat) IC STGD7NB120S-1 1200 V