Справочник IGBT. STGW20NB60HD

 

STGW20NB60HD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGW20NB60HD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 110 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1200pF pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STGW20NB60HD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGW20NB60HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  st
stgw20nb60hd.pdfpdf_icon

STGW20NB60HD

STGW20NB60HD N-CHANNEL 20A - 600V TO-247PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGW20NB60HD 600 V

 3.1. Size:294K  st
stgw20nb60h.pdfpdf_icon

STGW20NB60HD

STGW20NB60HN-CHANNEL 20A - 600V TO-247PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGW20NB60H 600 V

 3.2. Size:109K  njs
stgw20nb60h.pdfpdf_icon

STGW20NB60HD

 4.1. Size:325K  st
stgp20nb60k stgw20nb60k.pdfpdf_icon

STGW20NB60HD

STGP20NB60KSTGW20NB60KN-CHANNEL 20A - 600V - TO-220/TO-247SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP20NB60K 600 V

Другие IGBT... STGB7NB60HD , STGD3NB60S , STGD7NB60H , STGP10N60L , STGP7NB60HD , STGP7NB60HDFP , STGW12NB60H , STGW20NB60H , NGD8201N , STGW30NB60HD , STGW50NB60H , STGY50NB60HD , TA49014 , TA49015 , TA49016 , TA49017 , TA49021 .

History: IXSR40N60BD1 | MSG15T65FL | IGW30N60TP

 

 
Back to Top

 


 
.