Справочник IGBT. FGA30N120FTD

 

FGA30N120FTD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: FGA30N120FTD

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30.0A

Корпус: TO3PN

Аналог (замена) для FGA30N120FTD

 

 

FGA30N120FTD Datasheet (PDF)

1.1. fga30n120ftd.pdf Size:609K _fairchild_semi

FGA30N120FTD
FGA30N120FTD

May 2009 FGA30N120FTD tm 1200V, 30A Trench IGBT Features General Description Field stop trench technology Using advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High speed switching mances, and easy parallel operation with exceptional avalanche Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V @ IC = 30A ruggedness. This de

4.1. fga30n60lsd.pdf Size:768K _fairchild_semi

FGA30N120FTD
FGA30N120FTD

October 2008 FGA30N60LSD tm Features General Description Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A The FGA30N60LSD is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar High Input Impedance transistors.This device has the high input impedance of a Low Conduction Loss MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transisto

 

Другие IGBT... FGA15N120ANTDTU_F109 , FGA15N120FTD , FGA180N33ATD , FGA20N120FTD , FGA20S120M , FGA25N120ANTD , FGA25N120ANTDTU_F109 , FGA25N120FTD , GT20D101 , FGA30N60LSD , FGA50N100BNT , FGA50N100BNTD , FGA50N100BNTD2 , FGA60N60UFD , FGA90N33ATD , FGAF40N60UF , FGAF40N60UFD .

 

 
Back to Top

 


FGA30N120FTD
  FGA30N120FTD
  FGA30N120FTD
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: STGP7NC60KD | STGF7NC60KD | STGB7NC60KD | FGH75T65UPD | STGW38IH120D | MBQ50T65FDSC | SL40N60FL | PDMB100E6 | SSG60N60N | JNG25N120HS |
 

 

 

 

 
Back to Top