FGH40N60SFD datasheet, аналоги, основные параметры

FGH40N60SFD - это N-канальный IGBT-модуль напряжением 600В и током 80А, предназначенный для высокоэффективной коммутации питания. Построенный по технологии Field-Stop, он обеспечивает низкие потери электропроводности и быстрое переключение, что делает его подходящим для резонансных преобразователей, систем индукционного нагрева, ИБП, электроприводов. Его типичная энергия при отключении сведена к минимуму за счет оптимизированного распределения несущих, что помогает снизить тепловую нагрузку при работе на высоких частотах. В устройство также встроен диод быстрого восстановления с низким зарядом при обратном восстановлении, что повышает эффективность в топологиях с жестким переключением. Благодаря надежному SOA и высокой защите от короткого замыкания, FGH40N60SFD обеспечивает надежную работу в сложных промышленных условиях.

Наименование: FGH40N60SFD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FGH40N60SFD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGH40N60SFD даташит

 ..1. Size:806K  fairchild semi
 fgh40n60sfd.pdf pdf_icon

FGH40N60SFD

July 2008 FGH40N60SFD tm 600V, 40A Field Stop IGBT Features General Description High current capability Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild s new ses- ries of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Low saturation voltage VCE(sat) =2.3V @ IC = 40A Induction Heating, UPS, SMPS and PFC applications where High input impedance low conduction and swi

 ..2. Size:435K  onsemi
 fgh40n60sfd.pdf pdf_icon

FGH40N60SFD

March 2015 FGH40N60SFD 600 V, 40 A Field Stop IGBT Features General Description High Current Capability Using novel field stop IGBT technology, Fairchild s field stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 40 A welder, microwave oven, telecom, ESS and PFC applications High Input Impedance where low cond

 0.1. Size:803K  onsemi
 fgh40n60sfdtu fgh40n60sfdtu-f085.pdf pdf_icon

FGH40N60SFD

IGBT - Field Stop 600 V, 40 A FGH40N60SFDTU, FGH40N60SFDTU-F085 Description Using Novel Field Stop IGBT Technology, ON Semiconductor s www.onsemi.com new series of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Automotive Chargers, Inverter, and other applications where low conduction and switching losses are essential. C Features High Current Capability Low Saturati

 4.1. Size:677K  fairchild semi
 fgh40n60sf.pdf pdf_icon

FGH40N60SFD

March 2009 FGH40N60SF tm 600V, 40A Field Stop IGBT Features General Description High current capability Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild s new ses- ries of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Low saturation voltage VCE(sat) =2.3V @ IC = 40A Inverter, UPS, SMPS and PFC applications where low conduc- High input impedance tion and switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FGD3N60LSD, FGD4536, FGH20N60SFD, FGH20N60UFD, FGH25N120FTDS, FGH30N120FTD, FGH30N60LSD, FGH40N60SF, FGL60N100BNTD, FGH40N60SMD, FGH40N60SMDF, FGH40N60UF, FGH40N60UFD, FGH40N65UFD, FGH50N3, FGH60N60SF, FGH60N60SFD