FGPF4536 datasheet, аналоги, основные параметры

FGPF4536 представляет собой биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT). В нем используется конструкция trench IGBT и он упакован в стандартный корпус TO220F. Характеристики: FGPF4536 обеспечивает низкие потери проводимости благодаря низкому напряжению насыщения, высокому входному сопротивлению (типичному для IGBT), быстрому переключению и низкому току утечки. Области применения: типичные варианты использования включают импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока в постоянный, управление двигателями, освещением, инверторы, системы бесперебойного питания, другие задачи силовой электроники, требующие управления высоким напряжением, током и эффективной коммутации. FGPF4536 подходит везде, где требуется надежный, экономичный IGBT среднего напряжения.

Наименование: FGPF4536  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.4 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 360 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.59 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FGPF4536

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGPF4536 даташит

 ..1. Size:713K  fairchild semi
 fgpf4536.pdf pdf_icon

FGPF4536

August 2010 FGPF4536 360V, PDP IGBT Features General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new series of Low saturation voltage VCE (sat) =1.59 V @ IC = 50 A trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are High input impedance essential. Fast switching RoH

 7.1. Size:313K  fairchild semi
 fgpf4533.pdf pdf_icon

FGPF4536

August 2010 FGPF4533 330V, PDP IGBT Features General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE (sat) =1.55 V @ IC = 50 A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast switching

 8.1. Size:367K  onsemi
 fgpf4565.pdf pdf_icon

FGPF4536

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 9.1. Size:419K  fairchild semi
 fgpf4633.pdf pdf_icon

FGPF4536

August 2010 FGPF4633 330V PDP IGBT Features General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) = 1.55 V @ IC = 70A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast switching R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FGH75N60UF, FGH80N60FD, FGH80N60FD2, FGL35N120FTD, FGL60N100BNTD, FGP20N60UFD, FGP5N60LS, FGPF4533, G50T65D, FGPF4633, FGPF50N33BT, FGY75N60SMD, SGF23N60UF, SGP10N60RUFD, SGS5N150UF, NGB15N41CL, NGB18N40CLB