SGP10N60RUFD - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

SGP10N60RUFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGP10N60RUFD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 75
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 16
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 30
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 115
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SGP10N60RUFD

SGP10N60RUFD Datasheet (PDF)

..1. Size:615K fairchild semi
sgp10n60rufd.pdf

IGBTSGP10N60RUFDShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUFD series of Insulated Gate Bipolar Short circuit rated 10us @ TC = 100C, VGE = 15VTransistors (IGBTs) provide low conduction and switching High speed switchinglosses as well as short circuit ruggedness. The RUFD Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 10Aseries is designed f

..2. Size:272K samsung
sgp10n60rufd.pdf

CO-PAK IGBT SGP10N60RUFDFEATURESTO-220* Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ Ic=10A* High Input Impedance* CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 50nS (Typ)CAPPLICATIONS* AC & DC Motor controlsG* General Purpose Inverters* Robotics , Servo Controls* Power Supply E* Lamp BallastABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

3.1. Size:231K samsung
sgp10n60ruf.pdf

N-CHANNEL IGBT SGP10N60RUFFEATURESTO-220* Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.95 V @ Ic=10A* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVC

6.1. Size:321K infineon
sgp10n60a sgw10n60a rev2.pdf

SGP10N60A SGW10N60AFast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses G Short circuit withstand time 10 s E Designed for: - Motor controls - Inverter PG-TO-247-3 NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable b

6.2. Size:319K infineon
sgp10n60a.pdf