NGD8201N - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

NGD8201N - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: NGD8201N
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 440
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 15
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.15
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 2.1
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 6000
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 80
   Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NGD8201N

NGD8201N Datasheet (PDF)

..1. Size:121K 1
ngd8201n ngd8201an.pdf

NGD8201N, NGD8201ANIgnition IGBT20 A, 400 V, N-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses http://onsemi.cominclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage andhigh current switching is required. 20 A

7.1. Size:81K onsemi
ngd8201bnt4g.pdf

NGD8201BIgnition IGBT, 20 A, 400 VN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary useswww.onsemi.cominclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage andhigh current switching is required.20 AMPS, 400 VO

7.2. Size:123K onsemi
ngd8201a.pdf