NGD8201N - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

NGD8201N - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: NGD8201N
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 440 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 15 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.1 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 6000 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
   Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NGD8201N

NGD8201N Datasheet (PDF)

..1. Size:121K 1
ngd8201n ngd8201an.pdf

NGD8201N, NGD8201ANIgnition IGBT20 A, 400 V, N-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses http://onsemi.cominclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage andhigh current switching is required. 20 A

7.1. Size:81K onsemi
ngd8201bnt4g.pdf

NGD8201BIgnition IGBT, 20 A, 400 VN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary useswww.onsemi.cominclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage andhigh current switching is required.20 AMPS, 400 VO

7.2. Size:123K onsemi
ngd8201a.pdf