IXA17IF1200HJ - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXA17IF1200HJ

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXA17IF1200HJ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXA17IF1200HJ даташит

 ..1. Size:127K  ixys
 ixa17if1200hj.pdf pdf_icon

IXA17IF1200HJ

Другие IGBT... FII24N17AH1, FII30-06D, FII30-12E, FII40-06D, FII50-12E, IXA12IF1200HB, IXA12IF1200PB, IXA12IF1200TC, FGPF4633, IXA20I1200PB, IXA20IF1200HB, IXA20PG1200DHGLB, IXA27IF1200HJ, IXA30PG1200DHGLB, IXA33IF1200HB, IXA37IF1200HJ, IXA40PG1200DHGLB