IXA17IF1200HJ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXA17IF1200HJ
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Тип корпуса: ISOPLUS247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXA17IF1200HJ Datasheet (PDF)
ixa17if1200hj.pdf

IXA17IF1200HJVCES = 1200VXPT IGBTI= 28 AC25VCE(sat) = 1.8VCopackPart numberIXA17IF1200HJBackside: isolated2(C)(G) 13(E)Features / Advantages: Applications: Package: ISOPLUS247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry standard outline
Другие IGBT... FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , TGAN60N60F2DS , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB , IXA27IF1200HJ , IXA30PG1200DHGLB , IXA33IF1200HB , IXA37IF1200HJ , IXA40PG1200DHGLB .
History: IXGX50N120C3H1 | MSG30T65FC | APT43GA90SD30 | APT15GP90K | IRGB4086 | IXBF12N300 | SGL50N60RUFD
History: IXGX50N120C3H1 | MSG30T65FC | APT43GA90SD30 | APT15GP90K | IRGB4086 | IXBF12N300 | SGL50N60RUFD



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor