Справочник IGBT. IXBH20N300

 

IXBH20N300 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBH20N300
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 210 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 92 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXBH20N300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  ixys
 ixbh20n300.pdf pdf_icon

IXBH20N300

Preliminary Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBH20N300BIMOSFETTM MonolithicIXBT20N300IC110 = 20ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2VTO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VGC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V

 6.1. Size:288K  ixys
 ixbh20n360hv.pdf pdf_icon

IXBH20N300

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3600VIXBT20N360HVBIMOSFETTM MonolithicIXBH20N360HVIC110 = 20ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.4VTO-268HV (IXBT)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 3600 V E C (Tab)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 VVGES Continuous 20 VTO-247HV (IXBH)VGEM

 7.1. Size:60K  ixys
 ixbh20n160.pdf pdf_icon

IXBH20N300

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 20N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBH 20N160 IC25 = 20 AMOS Transistor VCE(sat) = 4.7 V typ.N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 nsCTO-247 ADGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features20N140 20N160 International standard packageVCES TJ = 25C to 150C 140

 7.2. Size:62K  ixys
 ixbh20n140-160.pdf pdf_icon

IXBH20N300

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 20N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBH 20N160 IC25 = 20 AMOS Transistor VCE(sat) = 4.7 V typ.N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 nsCTO-247 ADGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features20N140 20N160 International standard packageVCES TJ = 25C to 150C 140

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXBF40N160 , IXBF42N300 , IXBF55N300 , IXBF9N160G , IXBH10N170 , IXBH12N300 , IXBH16N170 , IXBH16N170A , IRG4PC50U , IXBH24N170 , IXBH28N170A , IXBH2N250 , IXBH32N300 , IXBH40N160 , IXBH42N170 , IXBH42N170A , IXBH5N160G .

History: ATT050K065FQC | STGWA20H65DFB2 | IXYA20N65C3 | IXBT16N170AHV | HGTD10N40F1 | STGF15H60DF | 2MBI150N-120

 

 
Back to Top

 


 
.