Справочник IGBT. IXBT42N170A

 

IXBT42N170A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBT42N170A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 42 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 155 nC
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXBT42N170A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBT42N170A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  ixys
 ixbt42n170a.pdf pdf_icon

IXBT42N170A

Advance Technical InformationBIMOSFETTM MonolithicVCES = 1700 VIXBH 42N170ABipolar MOS TransistorIC25 = 42 AIXBT 42N170AVCE(sat) = 6.0 Vtfi = 50 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VE(TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C42 ATO-247 AD (IXBH)

 ..2. Size:117K  ixys
 ixbh42n170a ixbt42n170a.pdf pdf_icon

IXBT42N170A

Advance Technical InformationBIMOSFETTM MonolithicIXBH 42N170A VCES = 1700 VBipolar MOS TransistorIXBT 42N170A IC25 = 42 AVCE(sat) = 6.0 Vtfi = 50 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VE(TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C42 ATO-247 AD (IXBH)

 4.1. Size:175K  ixys
 ixbh42n170 ixbt42n170.pdf pdf_icon

IXBT42N170A

High Voltage, High GainVCES = 1700VIXBH42N170BIMOSFETTM MonolithicIXBT42N170IC90 = 42ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.8VTO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC (TAB)CEIC25 TC = 25C 80 AILRMS Termin

 4.2. Size:173K  ixys
 ixbt42n170.pdf pdf_icon

IXBT42N170A

High Voltage, High GainVCES = 1700VIXBH42N170BIMOSFETTM MonolithicIXBT42N170IC90 = 42ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.8VTO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC (TAB)CEIC25 TC = 25C 80 AILRMS Termin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXBT16N170 , IXBT16N170A , IXBT20N300 , IXBT24N170 , IXBT28N170A , IXBT2N250 , IXBT32N300 , IXBT42N170 , KGF75N65KDF , IXBT6N170 , IXBX25N250 , IXBX55N300 , IXBX64N250 , IXBX75N170 , IXBX75N170A , IXDH35N60B , IXDH35N60BD1 .

History: IXGH30N60C3C1 | T0340VB45G | BSM300GA120DN2S | SPT10N120T1 | MG200Q2YS50 | CM200RX-12A

 

 
Back to Top

 


 
.