Справочник IGBT. IXGA16N60C2

 

IXGA16N60C2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGA16N60C2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 62 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 25 nC
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGA16N60C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
 ixga16n60c2.pdf pdf_icon

IXGA16N60C2

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGA16N60C2C2-Class IC110 = 16AIXGP16N60C2High Speed VCE(sat) 3.0Vtfi(typ) = 33nsTO-263 AA (IXGA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 150C 600 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VTO-220AB (IXGP)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C40 AIC110 TC = 110

 0.1. Size:216K  ixys
 ixga16n60c2d1.pdf pdf_icon

IXGA16N60C2

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGA16N60C2D1C2-Class High Speed IC110 = 16AIXGP16N60C2D1w/ Diode VCE(sat) 3.0VIXGH16N60C2D1tfi(typ) = 33nsTO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCC

 5.1. Size:214K  ixys
 ixga16n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGA16N60C2

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGA16N60B2D1B2-Class High Speed IC110 = 16AIXGP16N60B2D1w/ Diode VCE(sat) 2.3VIXGH16N60B2D1tfi(typ) = 70nsTO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGC C (

 5.2. Size:221K  ixys
 ixga16n60b2.pdf pdf_icon

IXGA16N60C2

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGA16N60B2B2-Class High Speed IC110 = 16AIXGP16N60B2VCE(sat) 2.3Vtfi(typ) = 70nsTO-263 AA (IXGA)Symbol Test Conditions Maximum Ratings GEVCES TJ = 25C to 150C 600 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VTO-220AB (IXGP)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C40 AIC110 TC = 110

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXER60N120 , IXGA12N120A2 , IXGA12N120A3 , IXGA12N60B , IXGA14N120B , IXGA15N120B2 , IXGA16N60B2 , IXGA16N60B2D1 , IRGP4086 , IXGA16N60C2D1 , IXGA20N100A3 , IXGA20N120 , IXGA20N120A3 , IXGA20N120B3 , IXGA24N120C3 , IXGA24N60C , IXGA30N120B3 .

History: IXBX75N170 | IXGT50N60B | APT35GN120SG | IKFW50N60DH3E | APT35GP120B2DQ2G | APT68GA60LD40 | 1MB05-120

 

 
Back to Top

 


 
.