Справочник IGBT. IXGA24N120C3

 

IXGA24N120C3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGA24N120C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 125 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGA24N120C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ixys
 ixga24n120c3.pdf pdf_icon

IXGA24N120C3

Preliminary Technical InformationVCES = 1200VGenX3TM 1200V IGBT IXGA24N120C3IC25 = 48AIXGH24N120C3VCE(sat) 4.2VIXGP24N120C3 High speed PT IGBTs fortfi(typ) = 110ns10-50kHz SwitchingTO-263 (IXGA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VGEVGES Continuous 20 V C (TAB)V

 7.1. Size:98K  ixys
 ixga24n60c.pdf pdf_icon

IXGA24N120C3

HiPerFASTTM IGBTIXGA 24N60C VCES = 600 VIXGP 24N60C IC25 = 48 ALightspeedTM SeriesVCE(sat)typ = 2.1 Vtfi typ = 60 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 V EIC25 TC = 25C48 AIC110 TC = 110C24 ATO-263 AA (IXGA)ICM TC

 7.2. Size:100K  ixys
 ixga24n60c ixgp24n60c.pdf pdf_icon

IXGA24N120C3

HiPerFASTTM IGBTIXGA 24N60C VCES = 600 VIXGP 24N60C IC25 = 48 ALightspeedTM SeriesVCE(sat)typ = 2.1 Vtfi typ = 60 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 V EIC25 TC = 25C48 AIC110 TC = 110C24 ATO-263 AA (IXGA)ICM TC

 7.3. Size:128K  ixys
 ixga24n60c4.pdf pdf_icon

IXGA24N120C3

Advance Technical InformationHigh-Gain IGBTs VCES = 600VIXGA24N60C4IC110 = 24AIXGP24N60C4 VCE(sat) 2.70V IXGH24N60C4tfi(typ) = 68nsHigh-Speed PT Trench IGBTsTO-263 (IXGA)GEC (Tab)TO-220 (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGCC (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGA16N60B2 , IXGA16N60B2D1 , IXGA16N60C2 , IXGA16N60C2D1 , IXGA20N100A3 , IXGA20N120 , IXGA20N120A3 , IXGA20N120B3 , IHW20N135R5 , IXGA24N60C , IXGA30N120B3 , IXGA30N60C3 , IXGA30N60C3C1 , IXGA30N60C3D4 , IXGA36N60A3 , IXGA42N30C3 , IXGA48N60A3 .

History: STGP10NB60S

 

 
Back to Top

 


 
.