Справочник IGBT. IXGA30N60C3C1

 

IXGA30N60C3C1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IXGA30N60C3C1

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A

Время нарастания: 47

Корпус: TO263

Аналог (замена) для IXGA30N60C3C1

 

 

IXGA30N60C3C1 Datasheet (PDF)

1.1. ixga30n60c3d4.pdf Size:287K _igbt

IXGA30N60C3C1
IXGA30N60C3C1

GenX3TM 600V IGBTs VCES = 600V IXGA30N60C3D4 w/ Diode IC110 = 30A IXGP30N60C3D4 ≤ VCE(sat) ≤ ≤ 3.0V ≤ ≤ tfi(typ) = 47ns High-Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching TO-263 AA (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TC = 25°C to 150°C 600 V C (Tab) VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V TO-220AB (IXGP) VGES Continuous ± 20 V

1.2. ixga30n60c3c1.pdf Size:278K _igbt

IXGA30N60C3C1
IXGA30N60C3C1

GenX3TM 600V IGBTs VCES = 600V IXGA30N60C3C1 w/ SiC Anti-Parallel IC110 = 30A IXGP30N60C3C1 Diode ≤ ≤ VCE(sat) ≤ 3.0V ≤ ≤ IXGH30N60C3C1 tfi(typ) = 47ns TO-263 AA (IXGA) High-Speed PT IGBTs for 40 - 100kHz Switching G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TC = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RG

 1.3. ixga30n60c3.pdf Size:269K _igbt

IXGA30N60C3C1
IXGA30N60C3C1

GenX3TM 600V VCES = 600V IXGA30N60C3 IGBTs IC110 = 30A IXGP30N60C3 ≤ VCE(sat) ≤ ≤ 3.0V ≤ ≤ IXGH30N60C3 tfi(typ) = 47ns High-Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching TO-263 AA (IXGA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TC = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V TO-220AB (IXGP) VGES Continuous ± 20 V

Другие IGBT... IXGA20N100A3 , IXGA20N120 , IXGA20N120A3 , IXGA20N120B3 , IXGA24N120C3 , IXGA24N60C , IXGA30N120B3 , IXGA30N60C3 , SGW10N60A , IXGA30N60C3D4 , IXGA36N60A3 , IXGA42N30C3 , IXGA48N60A3 , IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 .

 

 
Back to Top