IXGA36N60A3 - Аналоги. Основные параметры
Наименование: IXGA36N60A3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36(110°C) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 115 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 80 nC
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IXGA36N60A3
Технические параметры IXGA36N60A3
ixga36n60a3.pdf
Preliminary Technical Information IXGA36N60A3 VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGP36N60A3 IC110 = 36A IXGH36N60A3 VCE(sat) 1.4V Ultra Low Vsat PT IGBT for up to 5kHz switching TO-263 (IXGA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E (TAB) VCES TC = 25 C to 150 C 600 V TO-220 (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGE
ixga30n60c3d4.pdf
GenX3TM 600V IGBTs VCES = 600V IXGA30N60C3D4 w/ Diode IC110 = 30A IXGP30N60C3D4 VCE(sat) 3.0V tfi(typ) = 47ns High-Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching TO-263 AA (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TC = 25 C to 150 C 600 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V TO-220AB (IXGP) VGES Continuous 20 V
ixga30n120b3.pdf
VCES = 1200V GenX3TM 1200V IXGA30N120B3 IC110 = 30A IGBTs IXGP30N120B3 VCE(sat) 3.5V IXGH30N120B3 tfi(typ) = 204ns High-Speed Low-Vsat PT IGBTs 3-20 kHz Switching TO-263 (IXGA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TC = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V TO-220 (IXGP) VGES Continuous 20 V VGEM Tra
ixga30n60c3.pdf
GenX3TM 600V VCES = 600V IXGA30N60C3 IGBTs IC110 = 30A IXGP30N60C3 VCE(sat) 3.0V IXGH30N60C3 tfi(typ) = 47ns High-Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching TO-263 AA (IXGA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TC = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V TO-220AB (IXGP) VGES Continuous 20 V
Другие IGBT... IXGA20N120A3 , IXGA20N120B3 , IXGA24N120C3 , IXGA24N60C , IXGA30N120B3 , IXGA30N60C3 , IXGA30N60C3C1 , IXGA30N60C3D4 , NGD8201N , IXGA42N30C3 , IXGA48N60A3 , IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321






