Справочник IGBT. IXGA50N60C4

 

IXGA50N60C4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IXGA50N60C4

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 90A

Время нарастания: 63

Корпус: TO263

Аналог (замена) для IXGA50N60C4

 

 

IXGA50N60C4 Datasheet (PDF)

1.1. ixga50n60b4.pdf Size:218K _igbt

IXGA50N60C4
IXGA50N60C4

VCES = 600V High-Gain IGBTs IXGA50N60B4 IC110 = 50A IXGP50N60B4 ≤ ≤ VCE(sat) ≤ 1.8V ≤ ≤ IXGH50N60B4 Low-Vsat PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) TO-220AB (IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V G VGEM Transient ±30 V C C (Tab) E IC25 TC = 25°C 1

1.2. ixga50n60c4.pdf Size:216K _igbt

IXGA50N60C4
IXGA50N60C4

VCES = 600V High-Gain IGBTs IXGA50N60C4 IC110 = 46A IXGP50N60C4 ≤ ≤ VCE(sat) ≤ 2.3V ≤ ≤ IXGH50N60C4 High-Speed PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) TO-220AB (IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V G VGEM Transient ±30 V C C (Tab) E IC25 TC = 25°C

 

Другие IGBT... IXGA30N60C3D4 , IXGA36N60A3 , IXGA42N30C3 , IXGA48N60A3 , IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , GT15Q101 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , IXGB200N60B3 , IXGB75N60BD1 , IXGE200N60B , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 .

 

 
Back to Top