Справочник IGBT. IXGA50N60C4

 

IXGA50N60C4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGA50N60C4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 66 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGA50N60C4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  ixys
 ixga50n60c4.pdf pdf_icon

IXGA50N60C4

VCES = 600VHigh-Gain IGBTs IXGA50N60C4IC110 = 46AIXGP50N60C4 VCE(sat) 2.3V IXGH50N60C4High-Speed PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)TO-220AB (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC C (Tab)EIC25 TC = 25C

 5.1. Size:218K  ixys
 ixga50n60b4.pdf pdf_icon

IXGA50N60C4

VCES = 600VHigh-Gain IGBTs IXGA50N60B4IC110 = 50AIXGP50N60B4 VCE(sat) 1.8V IXGH50N60B4Low-Vsat PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)TO-220AB (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC C (Tab)EIC25 TC = 25C 1

Другие IGBT... IXGA30N60C3D4 , IXGA36N60A3 , IXGA42N30C3 , IXGA48N60A3 , IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , NGD8201N , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , IXGB200N60B3 , IXGB75N60BD1 , IXGE200N60B , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 .

History: SG15N12DP | MMG200DR120B | IXGT30N60C3D1 | RJH1CM5DPQ-E0 | JNG50N120LS | APTGT50X170BTP3 | DL2G50SH6N

 

 
Back to Top

 


 
.