IXGA7N60BD1 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: IXGA7N60BD1 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 14 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
Тип корпуса: TO263
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IXGA7N60BD1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGA7N60BD1 даташит
ixga7n60bd1.pdf
Advanced Technical Information IXGA 7N60BD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGP 7N60BD1 IC25 = 14 A with Diode VCE(sat) = 2.0 V tfi = 150ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 14 A TO-263 AA (IXGA) IC90 TC = 90 C 7
ixga7n60b.pdf
VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGA 7N60B IC25 = 14 A IXGP 7N60B VCE(sat) = 2 V tfi = 150 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-263 AA (IXGA) IC25 TC = 25 C 14 A IC90 TC = 90 C 7 A ICM TC = 25 C, 1 ms 30 A G C (TAB) E SSOA
ixga7n60b ixgp7n60b.pdf
VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGA 7N60B IC25 = 14 A IXGP 7N60B VCE(sat) = 2 V tfi = 150 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-263 AA (IXGA) IC25 TC = 25 C 14 A IC90 TC = 90 C 7 A ICM TC = 25 C, 1 ms 30 A G C (TAB) E SSOA
ixga7n60c.pdf
VCES = 600 V IXGA 7N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 14 A IXGP 7N60C LightspeedTM Series VCE(sat) = 2.7 V tfi = 45 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-263 AA (IXGA) IC25 TC = 25 C 14 A IC90 TC = 90 C 7 A ICM TC = 25 C, 1 ms 30
Другие IGBT... IXGA36N60A3, IXGA42N30C3, IXGA48N60A3, IXGA48N60B3, IXGA48N60C3, IXGA4N100, IXGA50N60B4, IXGA50N60C4, SGP30N60, IXGA7N60CD1, IXGB200N60B3, IXGB75N60BD1, IXGE200N60B, IXGF20N250, IXGF20N300, IXGF25N250, IXGF25N300
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet






