Справочник IGBT. IXGA7N60BD1

 

IXGA7N60BD1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IXGA7N60BD1

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14

Время нарастания: 150

Корпус: TO263(D2PAK)

Аналог (замена) для IXGA7N60BD1

 

 

IXGA7N60BD1 Datasheet (PDF)

1.1. ixga7n60b ixgp7n60b.pdf Size:70K _ixys

IXGA7N60BD1
IXGA7N60BD1

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGA 7N60B IC25 = 14 A IXGP 7N60B VCE(sat) = 2 V tfi = 150 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25C to 150C 600 V VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M? 600 V G C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-263 AA (IXGA) IC25 TC = 25C 14 A IC90 TC = 90C 7 A ICM TC = 25C, 1 ms 30 A G C (TAB) E SSOA VGE = 15 V, T

1.2. ixga7n60bd1.pdf Size:77K _igbt

IXGA7N60BD1
IXGA7N60BD1

Advanced Technical Information IXGA 7N60BD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGP 7N60BD1 IC25 = 14 A with Diode VCE(sat) = 2.0 V tfi = 150ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V G C E VGEM Transient ±30 V IC25 TC = 25°C 14 A TO-263 AA (IXGA) IC90 TC = 90°C 7

 1.3. ixga7n60b.pdf Size:68K _igbt

IXGA7N60BD1
IXGA7N60BD1

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGA 7N60B IC25 = 14 A IXGP 7N60B VCE(sat) = 2 V tfi = 150 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V G C E VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V TO-263 AA (IXGA) IC25 TC = 25°C 14 A IC90 TC = 90°C 7 A ICM TC = 25°C, 1 ms 30 A G C (TAB) E SSOA

Другие IGBT... IXGA36N60A3 , IXGA42N30C3 , IXGA48N60A3 , IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IRG4PF50WD , IXGA7N60CD1 , IXGB200N60B3 , IXGB75N60BD1 , IXGE200N60B , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 .

 

 
Back to Top