IXGH10N300 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGH10N300
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5(max) V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 227 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXGH10N300
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGH10N300 даташит
ixgh10n300.pdf
Advance Technical Information High Voltage IGBT VCES = 3000V IXGH10N300 IC90 = 10A VCE(sat) 3.5V For Capacitor Discharge Applications TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V G (TAB) VGES Continuous 20 V C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 18 A G = Gate C
ixgh10n100a.pdf
VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH 10 N100 1000 V 20 A 3.5 V High speed IGBT IXGH 10 N100A 1000 V 20 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C20 A G = Gate, C = Collector, IC90 TC = 90 C10 A E = Emitter, TAB = Col
ixgp10n60-a ixga10n60-a ixgh10n60-a.pdf
Preliminary data VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60 600 V 20 A 2.5 V High speed IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60A 600 V 20 A 3.0 V TO-220AB(IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V TO-263 AA (IXGA) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G IC25 TC = 25 C20 A C (TAB) E
Другие IGBT... IXGF25N300, IXGF30N400, IXGF32N170, IXGF36N300, IXGH100N30B3, IXGH100N30C3, IXGH10N170, IXGH10N170A, MGD623S, IXGH120N30B3, IXGH120N30C3, IXGH12N120A3, IXGH15N120B2D1, IXGH16N170, IXGH16N170A, IXGH16N170AH1, IXGH16N60B2D1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor










