Справочник IGBT. IXGH16N170

 

IXGH16N170 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH16N170
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 32 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 48 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH16N170

 

 

IXGH16N170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  ixys
 ixgt16n170 ixgh16n170.pdf

IXGH16N170 IXGH16N170

IXGH 16N170 VCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 16N170 IC25 = 32 AIGBTVCE(sat) = 3.5 VTO-268 (D3-Pak) (IXGT)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VEC (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-247 (IXGH)IC25 TC = 25C32 AIC90 TC = 90C16 AICM TC = 25C, 1 ms 80 AC (TAB)SSOA VG

 ..2. Size:151K  ixys
 ixgh16n170.pdf

IXGH16N170 IXGH16N170

IXGH 16N170 VCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 16N170 IC25 = 32 AIGBTVCE(sat) = 3.5 VTO-268 (D3-Pak) (IXGT)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VEC (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-247 (IXGH)IC25 TC = 25C32 AIC90 TC = 90C16 AICM TC = 25C, 1 ms 80 AC (TAB)SSOA VG

 0.1. Size:165K  ixys
 ixgh16n170a.pdf

IXGH16N170 IXGH16N170

IXGH 16N170AVCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 16N170AIC25 = 16 AIGBTIXGH 16N170AH1VCE(sat) = 5.0 VIXGT 16N170AH1tfi(typ) = 70 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsH1VCES TJ = 25C to 150C 1700 VTO-268 (IXGT)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGEIC25 TC = 25C16 AC (TAB)IC90 T

 0.2. Size:165K  ixys
 ixgh16n170ah1.pdf

IXGH16N170 IXGH16N170

IXGH 16N170AVCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 16N170AIC25 = 16 AIGBTIXGH 16N170AH1VCE(sat) = 5.0 VIXGT 16N170AH1tfi(typ) = 70 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsH1VCES TJ = 25C to 150C 1700 VTO-268 (IXGT)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGEIC25 TC = 25C16 AC (TAB)IC90 T

 7.1. Size:216K  ixys
 ixgh16n60c2d1.pdf

IXGH16N170 IXGH16N170

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGA16N60C2D1C2-Class High Speed IC110 = 16AIXGP16N60C2D1w/ Diode VCE(sat) 3.0VIXGH16N60C2D1tfi(typ) = 33nsTO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCC

 7.2. Size:214K  ixys
 ixgh16n60b2d1.pdf

IXGH16N170 IXGH16N170

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGA16N60B2D1B2-Class High Speed IC110 = 16AIXGP16N60B2D1w/ Diode VCE(sat) 2.3VIXGH16N60B2D1tfi(typ) = 70nsTO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGC C (

Другие IGBT... IXGH100N30C3 , IXGH10N170 , IXGH10N170A , IXGH10N300 , IXGH120N30B3 , IXGH120N30C3 , IXGH12N120A3 , IXGH15N120B2D1 , IRG4PC50U , IXGH16N170A , IXGH16N170AH1 , IXGH16N60B2D1 , IXGH16N60C2D1 , IXGH20N100A3 , IXGH20N120 , IXGH20N120A3 , IXGH20N120B .

 

 
Back to Top