Справочник IGBT. IXGH20N120B

 

IXGH20N120B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH20N120B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH20N120B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  ixys
 ixgh20n120b ixgt20n120b.pdf pdf_icon

IXGH20N120B

IXGH 20N120B VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIXGT 20N120B IC25 = 40 AVCE(sat) = 3.4 VPreliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268(IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C40 ATO-247 AD (IXGH)IC110 TC = 110C20 AICM

 ..2. Size:565K  ixys
 ixgh20n120b.pdf pdf_icon

IXGH20N120B

IXGH 20N120B VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIXGT 20N120B IC25 = 40 AVCE(sat) = 3.4 VPreliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268(IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C40 ATO-247 AD (IXGH)IC110 TC = 110C20 AICM

 4.1. Size:234K  ixys
 ixgh20n120a3.pdf pdf_icon

IXGH20N120B

VCES = 1200VGenX3TM 1200V IGBTs IXGA20N120A3IC110 = 20AIXGP20N120A3VCE(sat) 2.5VIXGH20N120A3 Ultra-Low Vsat PT IGBTs forup to 3 kHz SwitchingTO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VG

 4.2. Size:104K  ixys
 ixgh20n120.pdf pdf_icon

IXGH20N120B

VCES = 1200 VIXGH 20N120IGBTIC25 = 40 AIXGT 20N120VCE(sat) = 2.5 Vtfi(typ) = 380 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGDSIC25 TC = 25C40 AIC90 TC = 90C20 ATO-268 (IXGT)ICM TC = 25C, 1 ms 80 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH16N170 , IXGH16N170A , IXGH16N170AH1 , IXGH16N60B2D1 , IXGH16N60C2D1 , IXGH20N100A3 , IXGH20N120 , IXGH20N120A3 , IRG4PC40W , IXGH20N140C3H1 , IXGH22N170 , IXGH24N120C3 , IXGH24N120C3H1 , IXGH24N170 , IXGH24N170A , IXGH24N170AH1 , IXGH24N60C4 .

History: GT50T101 | SKM50GB12V | NGTB50N65FL2WG | SKM300GAX123D | JNG40T65HYU1 | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P

 

 
Back to Top

 


 
.