IXGH24N170AH1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGH24N170AH1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGH24N170AH1 Datasheet (PDF)
ixgh24n170ah1.pdf

Preliminary Technical InformationHigh VoltageVCES = 1700VIXGH24N170AH1IGBTs w/DiodeIXGT24N170AH1IC25 = 24AVCE(sat) 6.0Vtfi(typ) = 40nsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VGC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 V CEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 24 A
ixgh24n170a.pdf

Preliminary Technical InformationHigh VoltageVCES = 1700VIXGH24N170AIGBTsIXGT24N170AIC25 = 24AVCE(sat) 6.0Vtfi(typ) = 40nsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VGC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 V CEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 24 ATO-268 (IX
ixgh24n170a ixgt24n170a.pdf

IXGH 24N170AVCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 24N170AIC25 = 24 AIGBTVCE(sat) = 6.0 Vtfi(typ) = 45 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C24 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C16 AICM
ixgh24n170.pdf

Advance Technical InformationVCES = 1700VHigh Voltage IXGH24N170IC25 = 50AIGBT IXGT24N170VCE(sat) 3.3Vtfi(typ) = 250nsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGC C (TAB)VGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VTO-268 (IXGT)IC25 TC = 25C 50 AIC9
Другие IGBT... IXGH20N120A3 , IXGH20N120B , IXGH20N140C3H1 , IXGH22N170 , IXGH24N120C3 , IXGH24N120C3H1 , IXGH24N170 , IXGH24N170A , HGTG30N60A4 , IXGH24N60C4 , IXGH24N60C4D1 , IXGH25N160 , IXGH25N250 , IXGH28N120B , IXGH28N120BD1 , IXGH28N140B3H1 , IXGH28N60B3D1 .
History: MMG25H120XB6TN | 2MBI200TA-060 | 2MBI100SC-120 | SKM195GB124DN | IRG7PH35U-EP | STGE50NC60WD
History: MMG25H120XB6TN | 2MBI200TA-060 | 2MBI100SC-120 | SKM195GB124DN | IRG7PH35U-EP | STGE50NC60WD



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent