Справочник IGBT. IXGH30N60B4

 

IXGH30N60B4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH30N60B4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 66 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH30N60B4

 

 

IXGH30N60B4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  ixys
 ixgh30n60b4.pdf

IXGH30N60B4 IXGH30N60B4

Preliminary Technical InformationHigh-Gain IGBT VCES = 600VIXGH30N60B4IC110 = 30A VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 88nsMedium-Speed PT Trench IGBTTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 66 AG = Ga

 4.1. Size:576K  ixys
 ixgh30n60b2.pdf

IXGH30N60B4 IXGH30N60B4

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 30N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGT 30N60B2VCE(sat)

 4.2. Size:506K  ixys
 ixgh30n60b2d1.pdf

IXGH30N60B4 IXGH30N60B4

Advance Technical DataVCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1IC25 = 70 AIXGT 30N60B2D1VCE(sat)

 4.3. Size:138K  ixys
 ixgh30n60bu1.pdf

IXGH30N60B4 IXGH30N60B4

HiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60BU1 VCES = 600 VIXGT 30N60BU1 IC25 = 60 Awith DiodeVCE(sat) = 1.8 VCombi Packtfi = 100 nsTO-268(IXGT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 150C 600 VC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VTO-247 ADVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C60 AC (TAB)IC110 TC = 110C30 AGICM

 4.4. Size:578K  ixys
 ixgh30n60b2 ixgt30n60b2.pdf

IXGH30N60B4 IXGH30N60B4

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 30N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGT 30N60B2VCE(sat)

 4.5. Size:112K  ixys
 ixgh30n60bd1.pdf

IXGH30N60B4 IXGH30N60B4

IXGH 30N60BD1HiPerFASTTM IGBT VCES = 600 VIXGT 30N60BD1IC25 = 60 Awith DiodeVCE(sat) = 1.8 Vtfi(typ) = 100 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-268(IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VEVGES Continuous 20 VC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C60 ATO-247 AD(IXGH)IC90 TC = 90C30 AICM TC = 25C, 1

 4.6. Size:52K  ixys
 ixgh30n60b.pdf

IXGH30N60B4 IXGH30N60B4

IXGH30N60B VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGT30N60B IC25 = 60 AVCE(sat) = 1.8 Vtfi = 100 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD(IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VC (TAB)GCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C60 AIC110 TC = 110C30 ATO-268 (D3)ICM TC = 25C, 1 ms 120 A(IXGT)SSOA

 4.7. Size:600K  ixys
 ixgh30n60b2d1 ixgt30n60b2d1.pdf

IXGH30N60B4 IXGH30N60B4

Advance Technical DataVCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1IC25 = 70 AIXGT 30N60B2D1VCE(sat)

Другие IGBT... IXGH28N60B3D1 , IXGH28N60BD1 , IXGH2N250 , IXGH30N120B3 , IXGH30N120B3D1 , IXGH30N120C3H1 , IXGH30N60B2 , IXGH30N60B2D1 , FGH40N60UFD , IXGH30N60C2 , IXGH30N60C2D1 , IXGH30N60C3 , IXGH30N60C3C1 , IXGH30N60C3D1 , IXGH32N100A3 , IXGH32N120A3 , IXGH32N170 .

 

 
Back to Top