Справочник IGBT. CY20AAJ-8

 

CY20AAJ-8 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CY20AAJ-8
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130(pulse) A @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для CY20AAJ-8

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CY20AAJ-8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:39K  mitsubishi
 cy20aaj-8.pdf pdf_icon

CY20AAJ-8

MITSUBISHI IGBTMITSUBISHI IGBTCY20AAJ-8CY20AAJ-8Nch IGBT for STROBE FLASHERNch IGBT for STROBE FLASHERCY20AAJ-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 1.8 MAX.5.00.41.27 EMITTER GATE COLLECTOR VCES ............................................................................... 400V ICM ...............

 0.1. Size:345K  renesas
 cy20aaj-8h.pdf pdf_icon

CY20AAJ-8

Preliminary Datasheet CY20AAJ-8H R07DS1007EJ0300(Previous: REJ03G0282-0200)Nch IGBT for Strobe Flash Rev.3.00400V, 150A, 4V drive Jan 30, 2013Features VCES : 400 V ICM : 130 A Drive voltage : 4 V High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSP0008DD-D(Package name: SOP-8)5,6,7,856781,2,3 : Emitter4 : Gate4 4325,

Другие IGBT... CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , NGD8201N , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , VBGT15N120P , VBGT15N135 , VBGT25N135 .

History: GT15Q311

 

 
Back to Top

 


 
.