IXGH40N60C - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGH40N60C

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 310 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH40N60C

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH40N60C даташит

 ..1. Size:122K  ixys
 ixgh40n60c.pdf pdf_icon

IXGH40N60C

VCES = 600 V IXGH 40N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGT 40N60C LightspeedTM Series VCE(sat) = 2.5 V tfi typ = 75 ns Preliminary Data TO-268 Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G E C (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C75 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 11

 0.1. Size:145K  ixys
 ixgh40n60c2.pdf pdf_icon

IXGH40N60C

VCES = 600 V IXGH 40N60C2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGT 40N60C2 C2-Class High Speed IGBTs VCE(sat) = 2.7 V tfi typ = 32 ns TO-268 (IXGT) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V E C (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-247 (IXGH) IC25 TC = 25 C (limited by leads) 75 A IC110 TC = 1

 0.2. Size:162K  ixys
 ixgh40n60c2d1 ixgt40n60c2d1 ixgg40n60c2d1.pdf pdf_icon

IXGH40N60C

HiPerFASTTM IGBT IXGH40N60C2D1 VCES = 600V IXGT40N60C2D1 IC25 = 75A with Diode IXGJ40N60C2D1 VCE(SAT) 2.7V tfi(typ) = 32ns C2-Class High Speed IGBTs TO-247(IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C (TAB) C E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V TO-268 (D3) ( IXGT) VGEM Transient 30 V

 0.3. Size:168K  ixys
 ixgh40n60c2d1.pdf pdf_icon

IXGH40N60C

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600V IXGT40N60C2D1 IC110 = 40A w/ Diode IXGJ40N60C2D1 VCE(SAT) 2.7V IXGH40N60C2D1 tfi(typ) = 32ns C2-Class High Speed IGBTs TO-268 (IXGT) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGJ) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH36N60B3D4, IXGH40N120A2, IXGH40N120B2D1, IXGH40N120C3, IXGH40N120C3D1, IXGH40N60B, IXGH40N60B2, IXGH40N60B2D1, IRGP4063D, IXGH40N60C2, IXGH40N60C2D1, IXGH42N30C3, IXGH45N120, IXGH48N60A3, IXGH48N60A3D1, IXGH48N60B3, IXGH48N60B3C1