Справочник IGBT. IXGJ50N60B

 

IXGJ50N60B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGJ50N60B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 310 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 160 nC
   Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXGJ50N60B

 

 

IXGJ50N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  ixys
ixgj50n60b.pdf

IXGJ50N60B
IXGJ50N60B

IXGH 50N60BHiPerFASTTM IGBT VCES = 600 VIXGK 50N60BIC25 = 75 AIXGT 50N60BVCE(sat) = 2.3 VIXGJ 50N60Btfi(typ) = 120 nsTO-247 AD (IXGH)C C (TAB)Symbol Test Conditions Maximum Ratings EVCES TJ = 25C to 150C 600 VTO-268 (D3) ( IXGT)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC (TAB)EIC25 TC = 25C75 ATO-268 Le

 ..2. Size:181K  ixys
ixgk50n60b ixgt50n60b ixgj50n60b.pdf

IXGJ50N60B
IXGJ50N60B

IXGH 50N60BHiPerFASTTM IGBT VCES = 600 VIXGK 50N60BIC25 = 75 AIXGT 50N60BVCE(sat) = 2.3 VIXGJ 50N60Btfi(typ) = 120 nsTO-247 AD (IXGH)C C (TAB)Symbol Test Conditions Maximum Ratings EVCES TJ = 25C to 150C 600 VTO-268 (D3) ( IXGT)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC (TAB)EIC25 TC = 25C75 ATO-268 Le

 5.1. Size:399K  ixys
ixgj50n60c4d1.pdf

IXGJ50N60B
IXGJ50N60B

Preliminary Technical InformationVCES = 600VHigh-Gain IGBT IXGJ50N60C4D1IC110 = 21Aw/ Diode VCE(sat) 2.50V (Electrically Isolated Tab)High-Speed PT Trench IGBTISO TO-247TME153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 600 V CE Isolated TabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VG = Gate E

Другие IGBT... IXGH6N170A , IXGH72N60A3 , IXGH72N60B3 , IXGH72N60C3 , IXGH85N30C3 , IXGH90N60B3 , IXGI48N60C3 , IXGJ40N60C2D1 , STGW60V60DF , IXGJ50N60C4D1 , IXGK100N170 , IXGK120N120A3 , IXGK120N120B3 , IXGK120N60A3 , IXGK120N60B3 , IXGK120N60C2 , IXGK28N140B3H1 .

 

 
Back to Top