IXGJ50N60B - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGJ50N60B
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3(max) V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 310 pF
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXGJ50N60B
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGJ50N60B даташит
ixgj50n60b.pdf
IXGH 50N60B HiPerFASTTM IGBT VCES = 600 V IXGK 50N60B IC25 = 75 A IXGT 50N60B VCE(sat) = 2.3 V IXGJ 50N60B tfi(typ) = 120 ns TO-247 AD (IXGH) C C (TAB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V TO-268 (D3) ( IXGT) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C (TAB) E IC25 TC = 25 C75 A TO-268 Le
ixgk50n60b ixgt50n60b ixgj50n60b.pdf
IXGH 50N60B HiPerFASTTM IGBT VCES = 600 V IXGK 50N60B IC25 = 75 A IXGT 50N60B VCE(sat) = 2.3 V IXGJ 50N60B tfi(typ) = 120 ns TO-247 AD (IXGH) C C (TAB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V TO-268 (D3) ( IXGT) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C (TAB) E IC25 TC = 25 C75 A TO-268 Le
ixgj50n60c4d1.pdf
Preliminary Technical Information VCES = 600V High-Gain IGBT IXGJ50N60C4D1 IC110 = 21A w/ Diode VCE(sat) 2.50V (Electrically Isolated Tab) High-Speed PT Trench IGBT ISO TO-247TM E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E Isolated Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G = Gate E
Другие IGBT... IXGH6N170A, IXGH72N60A3, IXGH72N60B3, IXGH72N60C3, IXGH85N30C3, IXGH90N60B3, IXGI48N60C3, IXGJ40N60C2D1, GT30G122, IXGJ50N60C4D1, IXGK100N170, IXGK120N120A3, IXGK120N120B3, IXGK120N60A3, IXGK120N60B3, IXGK120N60C2, IXGK28N140B3H1
History: IXGK100N170 | IXGJ50N60C4D1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141



