Справочник IGBT. IXGK50N60A2D1

 

IXGK50N60A2D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGK50N60A2D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 140 nC
   Тип корпуса: TO264
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGK50N60A2D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  ixys
ixgk50n60a2d1.pdfpdf_icon

IXGK50N60A2D1

Advance Technical DataIXGK50N60A2D1 VCES = 600 VIGBT with DiodeIXGX 50N60A2D1IC25 = 75 AVCE(sat) = 1.4 VLow Saturation VoltageSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264(IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)GCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VPLUS247IC25 TC = 25C (limited by leads) 75 A (IXGX)I

 3.1. Size:143K  ixys
ixgk50n60a2u1 ixgx50n60a2u1.pdfpdf_icon

IXGK50N60A2D1

Advance Technical InformationIXGK 50N60A2U1 VCES = 600 VIGBT with DiodeIXGX 50N60A2U1IC25 = 75 AVCE(sat) = 1.6 VLow Saturation Voltage IGBTwith Low Forward Drop DiodePreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264(IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)GCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient

 4.1. Size:149K  ixys
ixgk50n60au1.pdfpdf_icon

IXGK50N60A2D1

HiPerFASTTM IXGK 50N60AU1 VCES = 600 VIGBT with Diode IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.7 VCombi Pack tfi = 275 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AAVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AG = Gate, C = Collector,IC90 TC = 90C50 AE = Emitter,

 5.1. Size:628K  ixys
ixgk50n60c2d1 ixgx50n60c2d1.pdfpdf_icon

IXGK50N60A2D1

IXGK50N60C2D1 VCES = 600 VHiPerFASTTMIXGX 50N60C2D1IC25 = 75 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 2.5 VC2-Class High Speed IGBTstfi(typ) = 48 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA(IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)GCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VPLUS247IC25 TC = 25

Другие IGBT... IXGK320N60A3 , IXGK320N60B3 , IXGK35N120B , IXGK35N120BD1 , IXGK35N120C , IXGK35N120CD1 , IXGK400N30A3 , IXGK50N120C3H1 , IRG7S313U , IXGK50N60B2D1 , IXGK50N60C2D1 , IXGK50N90B2D1 , IXGK55N120A3H1 , IXGK60N60B2D1 , IXGK60N60C2D1 , IXGK64N60B3D1 , IXGK72N60A3H1 .

History: IXGK72N60A3H1 | HGT1S3N60A4S | IXEH25N120D1

 

 
Back to Top

 


 
.