IXGK60N60C2D1 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IXGK60N60C2D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXGK60N60C2D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 280 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 146 nC
   Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXGK60N60C2D1

IXGK60N60C2D1 Datasheet (PDF)

..1. Size:188K ixys
ixgk60n60c2d1.pdf

IXGK 60N60C2D1VCES = 600 VHiPerFASTTMIXGX 60N60C2D1IC25 = 75 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 2.5 VC2-Class High Speed IGBTstfi(typ) = 35 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA(IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)GCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VPLUS247IC25 TC = 25C (limited by leads)

5.1. Size:622K ixys
ixgk60n60b2d1 ixgx60n60b2d1.pdf

Advance Technical DataIXGK60N60B2D1 VCES = 600 VHiPerFASTTMIXGX 60N60B2D1IC25 = 75 AIGBT with DiodeVCE(sat)

5.2. Size:95K ixys
ixgh60n60 ixgk60n60 ixgt60n60.pdf

VCES = 600 VUltra-Low VCE(sat) IGBT IXGH 60N60IC25 = 75 AIXGK 60N60 VCE(sat) = 1.7 VIXGT 60N60Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VTO-268IC25 TC = 25C, limited by leads 75 A(IXGT)IC90 TC = 90C60 AGEICM TC = 25C,

5.3. Size:490K ixys
ixgk60n60b2d1.pdf