IXGN120N60A3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGN120N60A3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 595 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 82 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF

Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXGN120N60A3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGN120N60A3 даташит

 ..1. Size:200K  ixys
 ixgn120n60a3.pdf pdf_icon

IXGN120N60A3

VCES = 600V IXGN120N60A3 GenX3TM 600V IGBT IXGN120N60A3D1 IC110 = 120A VCE(sat) 1.35V Ultra-low Vsat PT IGBTs for up to 5kHz switching SOT-227B, miniBLOC E153432 E E 60A3 60A3D1 G Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V C VGES Continuous 20 V G = Gate, C = Collector, E =

 0.1. Size:200K  ixys
 ixgn120n60a3d1.pdf pdf_icon

IXGN120N60A3

VCES = 600V IXGN120N60A3 GenX3TM 600V IGBT IXGN120N60A3D1 IC110 = 120A VCE(sat) 1.35V Ultra-low Vsat PT IGBTs for up to 5kHz switching SOT-227B, miniBLOC E153432 E E 60A3 60A3D1 G Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V C VGES Continuous 20 V G = Gate, C = Collector, E =

 0.2. Size:202K  ixys
 ixgn120n60a3-a3d1.pdf pdf_icon

IXGN120N60A3

VCES = 600V IXGN120N60A3 GenX3TM 600V IGBT IXGN120N60A3D1 IC110 = 120A VCE(sat) 1.35V Ultra-low Vsat PT IGBTs for up to 5kHz switching SOT-227B, miniBLOC E153432 E E 60A3 60A3D1 G Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V C VGES Continuous 20 V G = Gate, C = Collector, E =

 9.1. Size:153K  ixys
 ixgn100n170.pdf pdf_icon

IXGN120N60A3

VCES = 1700V High Voltage IXGN100N170 IC90 = 95A IGBT VCE(sat) 3.0V E SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C 160 A IC90 TC = 90 C 95 A C ICM TC = 25 C, 1ms 600 A G = Gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGK72N60A3H1, IXGK72N60B3H1, IXGK75N250, IXGK82N120A3, IXGK82N120B3, IXGL200N60B3, IXGL75N250, IXGN100N170, FGH60N60SMD, IXGN120N60A3D1, IXGN200N60A2, IXGN200N60B3, IXGN320N60A3, IXGN400N30A3, IXGN400N60A3, IXGN400N60B3, IXGN50N120C3H1