Справочник IGBT. IXGN120N60A3

 

IXGN120N60A3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGN120N60A3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 595 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 82 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 450 nC
   Тип корпуса: SOT227B
 

 Аналог (замена) для IXGN120N60A3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGN120N60A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  ixys
 ixgn120n60a3.pdf pdf_icon

IXGN120N60A3

VCES = 600VIXGN120N60A3GenX3TM 600V IGBTIXGN120N60A3D1 IC110 = 120AVCE(sat) 1.35VUltra-low Vsat PT IGBTs for up to5kHz switchingSOT-227B, miniBLOC E153432E E 60A360A3D1 GSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VE VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VCVGES Continuous 20 VG = Gate, C = Collector, E =

 0.1. Size:200K  ixys
 ixgn120n60a3d1.pdf pdf_icon

IXGN120N60A3

VCES = 600VIXGN120N60A3GenX3TM 600V IGBTIXGN120N60A3D1 IC110 = 120AVCE(sat) 1.35VUltra-low Vsat PT IGBTs for up to5kHz switchingSOT-227B, miniBLOC E153432E E 60A360A3D1 GSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VE VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VCVGES Continuous 20 VG = Gate, C = Collector, E =

 0.2. Size:202K  ixys
 ixgn120n60a3-a3d1.pdf pdf_icon

IXGN120N60A3

VCES = 600VIXGN120N60A3GenX3TM 600V IGBTIXGN120N60A3D1 IC110 = 120AVCE(sat) 1.35VUltra-low Vsat PT IGBTs for up to5kHz switchingSOT-227B, miniBLOC E153432E E 60A360A3D1 GSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VE VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VCVGES Continuous 20 VG = Gate, C = Collector, E =

 9.1. Size:153K  ixys
 ixgn100n170.pdf pdf_icon

IXGN120N60A3

VCES = 1700VHigh Voltage IXGN100N170IC90 = 95AIGBT VCE(sat) 3.0V ESOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 1700 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C 160 AIC90 TC = 90C 95 ACICM TC = 25C, 1ms 600 AG = Gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGK72N60A3H1 , IXGK72N60B3H1 , IXGK75N250 , IXGK82N120A3 , IXGK82N120B3 , IXGL200N60B3 , IXGL75N250 , IXGN100N170 , MBQ60T65PES , IXGN120N60A3D1 , IXGN200N60A2 , IXGN200N60B3 , IXGN320N60A3 , IXGN400N30A3 , IXGN400N60A3 , IXGN400N60B3 , IXGN50N120C3H1 .

History: 1MBC10-060 | APT50GT60BRDQ2G

 

 
Back to Top

 


 
.