Справочник IGBT. IXGN200N60A2

 

IXGN200N60A2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGN200N60A2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 740 pF
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXGN200N60A2

 

 

IXGN200N60A2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:553K  ixys
 ixgn200n60a2.pdf

IXGN200N60A2 IXGN200N60A2

IXGN 200N60A2 VCES = 600 VIGBTIC25 = 200 AOptimized for SwitchingVCE(sat) = 1.35 Vup to 5 kHzPreliminary Data SheetESymbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B, miniBLOCE VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C 200 ACIC110 TC = 110C 100 AICM TC = 25C,

 3.1. Size:131K  ixys
 ixgn200n60 ixgn200n60a.pdf

IXGN200N60A2 IXGN200N60A2

HiPerFASTTM IGBT VCES IC25 VCE(sat)IXGN 200N60 600 V 200 A 2.5 VIXGN 200N60A 600 V 200 A 2.7 VESymbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B, miniBLOCE VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C 200 ACIC90 TC = 90C 100 AICM TC = 25C, 1 ms 300 AG = Gate, C = Collec

 4.1. Size:559K  ixys
 ixgn200n60b.pdf

IXGN200N60A2 IXGN200N60A2

IXGN 200N60B VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIC25 = 200 AVCE(sat) = 2.1 VESymbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B, miniBLOCE VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C 200 ACIL Terminal Current Limit 100 AIC90 TC = 90C 120 AG = Gate, C = Collector, E = Emitter

 4.2. Size:184K  ixys
 ixgn200n60b3.pdf

IXGN200N60A2 IXGN200N60A2

VCES = 600VIXGN200N60B3GenX3TM 600V IGBTIC110 = 200AVCE(sat) 1.50VMedium-Speed Low-Vsat PTIGBT for 5-40kHz SwitchingSOT-227B, miniBLOC E153432E Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VE VGEM Transient 30 VCIC25 TC = 25C 300 AIC110 TC

Другие IGBT... IXGK75N250 , IXGK82N120A3 , IXGK82N120B3 , IXGL200N60B3 , IXGL75N250 , IXGN100N170 , IXGN120N60A3 , IXGN120N60A3D1 , MBQ60T65PES , IXGN200N60B3 , IXGN320N60A3 , IXGN400N30A3 , IXGN400N60A3 , IXGN400N60B3 , IXGN50N120C3H1 , IXGN60N60C2 , IXGN60N60C2D1 .

 

 
Back to Top