IXGP12N60B - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IXGP12N60B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXGP12N60B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXGP12N60B

IXGP12N60B Datasheet (PDF)

..1. Size:71K ixys
ixga12n60b ixgp12n60b.pdf

IXGA 12N60B VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGP 12N60B IC25 = 24 AVCE(sat) = 2.1 Vtfi(typ) = 120 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C24 AIC90 TC = 90C12 ATO-263 AA (IXGA)ICM TC =

..2. Size:69K ixys
ixgp12n60b.pdf

5.1. Size:70K ixys
ixga12n60cd1 ixgp12n60cd1.pdf

IXGA 12N60CD1HiPerFASTTM IGBTVCES = 600 VIXGP 12N60CD1LightspeedTM Series IC25 = 24 AVCE(sat) = 2.7 Vtfi(typ) = 55 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXGA)VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VEC (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C24 AIC90 TC = 90C12 ATO-220 ABICM TC = 25C,

5.2. Size:94K ixys
ixgp12n60c.pdf

VCES = 600 VIXGA 12N60CHiPerFASTTM IGBT IC25 = 24 AIXGP 12N60C VCE(sat)= 2.7 Vtfi(typ) = 55 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXGA)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VGVGES Continuous 20 V C (tab)EVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C24 ATO-220 ABIC90 TC = 90C12 A(IXGP)ICM TC = 25C, 1 ms 48

5.3. Size:69K ixys
ixgp12n60cd1.pdf