Справочник IGBT. IXGP2N100

 

IXGP2N100 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGP2N100
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 4 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 12 pF
   Тип корпуса: TO220
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGP2N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  ixys
ixgp2n100.pdfpdf_icon

IXGP2N100

VCES IC90 VCE(SAT)High Voltage IGBTIXGP 2N100 1000 V 2.0 A 2.7 VIXGP 2N100A 1000 V 2.0 A 3.5 VSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V14IC25 TC = 25C 4 A23IC90 TC = 90C 2 AICM TC = 25C, 1 ms 8 A1 = Gate 2 = Collector3 = Emitter 4 =

 0.1. Size:83K  ixys
ixgp2n100a.pdfpdf_icon

IXGP2N100

VCES IC90 VCE(SAT)High Voltage IGBTIXGP 2N100 1000 V 2.0 A 2.7 VIXGP 2N100A 1000 V 2.0 A 3.5 VSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V14IC25 TC = 25C 4 A23IC90 TC = 90C 2 AICM TC = 25C, 1 ms 8 A1 = Gate 2 = Collector3 = Emitter 4 =

 9.1. Size:98K  ixys
ixgp24n60c.pdfpdf_icon

IXGP2N100

HiPerFASTTM IGBTIXGA 24N60C VCES = 600 VIXGP 24N60C IC25 = 48 ALightspeedTM SeriesVCE(sat)typ = 2.1 Vtfi typ = 60 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 V EIC25 TC = 25C48 AIC110 TC = 110C24 ATO-263 AA (IXGA)ICM TC

 9.2. Size:92K  ixys
ixgp24n60c4.pdfpdf_icon

IXGP2N100

Advance Technical InformationHigh-Gain IGBTs VCES = 600VIXGP24N60C4IC110 = 24AIXGH24N60C4 VCE(sat) 2.70V tfi(typ) = 68nsHigh-Speed PT Trench IGBTsTO-220AB (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VGCTabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-247 AD (IX

Другие IGBT... IXGP20N100A3 , IXGP20N120 , IXGP20N120A3 , IXGP20N120B3 , IXGP24N120C3 , IXGP24N60C , IXGP24N60C4 , IXGP24N60C4D1 , SGT50T65FD1PN , IXGP2N100A , IXGP30N120B3 , IXGP30N60B2 , IXGP30N60B4D1 , IXGP30N60C2 , IXGP30N60C3 , IXGP30N60C3C1 , IXGP30N60C3D4 .

History: XD050H120CX1S4 | APTGT100A120D1 | 2MBI150VA-120-50 | STGP10H60DF | XD040Q120AT1S3 | SKM50GAL12T4 | 2MBI150PC-140

 

 
Back to Top

 


 
.