IXGP30N60C2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGP30N60C2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXGP30N60C2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGP30N60C2 даташит

 ..1. Size:551K  ixys
 ixgp30n60c2.pdf pdf_icon

IXGP30N60C2

VCES = 600 V IXGP 30N60C2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A C2- Class High Speed IGBTs VCE(sat) = 2.7 V tfi typ = 32 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V C (TAB) VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C (limited by leads) 70 A IC110 TC = 110 C30 A G = Gate, C =

 4.1. Size:269K  ixys
 ixgp30n60c3.pdf pdf_icon

IXGP30N60C2

GenX3TM 600V VCES = 600V IXGA30N60C3 IGBTs IC110 = 30A IXGP30N60C3 VCE(sat) 3.0V IXGH30N60C3 tfi(typ) = 47ns High-Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching TO-263 AA (IXGA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TC = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V TO-220AB (IXGP) VGES Continuous 20 V

 4.2. Size:287K  ixys
 ixgp30n60c3d4.pdf pdf_icon

IXGP30N60C2

GenX3TM 600V IGBTs VCES = 600V IXGA30N60C3D4 w/ Diode IC110 = 30A IXGP30N60C3D4 VCE(sat) 3.0V tfi(typ) = 47ns High-Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching TO-263 AA (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TC = 25 C to 150 C 600 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V TO-220AB (IXGP) VGES Continuous 20 V

 4.3. Size:278K  ixys
 ixgp30n60c3c1.pdf pdf_icon

IXGP30N60C2

GenX3TM 600V IGBTs VCES = 600V IXGA30N60C3C1 w/ SiC Anti-Parallel IC110 = 30A IXGP30N60C3C1 Diode VCE(sat) 3.0V IXGH30N60C3C1 tfi(typ) = 47ns TO-263 AA (IXGA) High-Speed PT IGBTs for 40 - 100kHz Switching G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TC = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGP24N60C, IXGP24N60C4, IXGP24N60C4D1, IXGP2N100, IXGP2N100A, IXGP30N120B3, IXGP30N60B2, IXGP30N60B4D1, FGPF4633, IXGP30N60C3, IXGP30N60C3C1, IXGP30N60C3D4, IXGP36N60A3, IXGP42N30C3, IXGP48N60A3, IXGP48N60B3, IXGP48N60C3