IXGP7N60CD1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGP7N60CD1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 14 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXGP7N60CD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGP7N60CD1 даташит

 ..1. Size:89K  ixys
 ixgp7n60cd1.pdf pdf_icon

IXGP7N60CD1

IXGA 7N60CD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGP 7N60CD1 IC25 = 14 A with Diode VCE(sat)typ = 2.0 V LightspeedTM Series tfi = 45 ns Preliminary Data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 14 A TO-263 AA (IXGA) IC90 TC

 5.1. Size:65K  ixys
 ixga7n60c ixgp7n60c.pdf pdf_icon

IXGP7N60CD1

VCES = 600 V IXGA 7N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 14 A IXGP 7N60C LightspeedTM Series VCE(sat) = 2.7 V tfi = 45 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-263 AA (IXGA) IC25 TC = 25 C 14 A IC90 TC = 90 C 7 A ICM TC = 25 C, 1 ms 30

 5.2. Size:63K  ixys
 ixgp7n60c.pdf pdf_icon

IXGP7N60CD1

VCES = 600 V IXGA 7N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 14 A IXGP 7N60C LightspeedTM Series VCE(sat) = 2.7 V tfi = 45 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-263 AA (IXGA) IC25 TC = 25 C 14 A IC90 TC = 90 C 7 A ICM TC = 25 C, 1 ms 30

 6.1. Size:77K  ixys
 ixgp7n60bd1.pdf pdf_icon

IXGP7N60CD1

Advanced Technical Information IXGA 7N60BD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGP 7N60BD1 IC25 = 14 A with Diode VCE(sat) = 2.0 V tfi = 150ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 14 A TO-263 AA (IXGA) IC90 TC = 90 C 7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGP42N30C3, IXGP48N60A3, IXGP48N60B3, IXGP48N60C3, IXGP4N100, IXGP50N60B4, IXGP50N60C4, IXGP7N60BD1, GT30F131, IXGQ20N120B, SL75T120FZ, IXGQ50N60B4D1, IXGQ50N60C4D1, IXGR120N60B, IXGR120N60C2, IXGR12N60C, IXGR16N170AH1