Справочник IGBT. IXGR32N90B2D1

 

IXGR32N90B2D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGR32N90B2D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 47 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 146 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 89 nC
   Тип корпуса: ISOPLUS247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGR32N90B2D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  ixys
 ixgr32n90b2d1.pdf pdf_icon

IXGR32N90B2D1

Advance Technical InformationVCES = 900 VIXGR 32N90B2D1HiPerFASTTM IGBTIC25 = 47 Awith Fast DiodeVCE(sat) = 2.9 Vtfi typ = 150 nsElectrically Isolated BaseSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXGR)E153432VCES TJ = 25OC to 150OC 900 VVCGR TJ = 25OC to 150OC; RGE = 1 M 900 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCIC25 TC = 25OC47 A ISOLATED T

 7.1. Size:569K  ixys
 ixgr32n60cd1.pdf pdf_icon

IXGR32N90B2D1

VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGR 32N60CD1IC25 = 45 Awith DiodeVCE(SAT) = 2.7 VISOPLUS247TMtfi(typ) = 55 ns(Electrically Isolated Backside)Preliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM (IXGR)E 153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCIC25 TC = 25

 7.2. Size:82K  ixys
 ixgr32n170h1.pdf pdf_icon

IXGR32N90B2D1

IXGR 32N170H1VCES = 1700 VHigh VoltageIC25 = 38 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 3.5 VElectrically Isolated Tabtfi(typ) = 250 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXGR)E153432VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VCISOLATED TABEIC25 TC = 25C3

 7.3. Size:519K  ixys
 ixgr32n170ah1.pdf pdf_icon

IXGR32N90B2D1

Advance Technical InformationIXGR 32N170AH1VCES = 1700 VHigh VoltageIC25 = 26 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 5.2 VElectrically Isolated Tabtfi(typ) = 50 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXGR)E153432VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VCISOLATED TABEIC25 TC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGR120N60B , IXGR120N60C2 , IXGR12N60C , IXGR16N170AH1 , IXGR24N120C3D1 , IXGR24N60C , IXGR32N170AH1 , IXGR32N170H1 , FGL60N100BNTD , IXGR35N120B , IXGR35N120BD1 , IXGR35N120C , IXGR39N60B , IXGR39N60BD1 , IXGR40N60B , IXGR40N60B2 , IXGR40N60B2D1 .

History: IXGR24N120C3D1

 

 
Back to Top

 


 
.