IXGR48N60B3D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGR48N60B3D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.77 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXGR48N60B3D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGR48N60B3D1 даташит

 ..1. Size:96K  ixys
 ixgr48n60b3d1.pdf pdf_icon

IXGR48N60B3D1

Preliminary Technical Information VCES = 600V GenX3TM 600V IGBTs IXGR48N60B3 IC25 = 60A IXGR48N60B3D1 (Electrically Isolated Back VCE(sat) 2.1V Surface) tfi(typ) = 116ns Medium-Speed Low-Vsat PT IGBTs 5-40 kHz Switching ISOPLUS247TM IXGR_B3 IXGR_B3D1 E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150

 3.1. Size:96K  ixys
 ixgr48n60b3.pdf pdf_icon

IXGR48N60B3D1

Preliminary Technical Information VCES = 600V GenX3TM 600V IGBTs IXGR48N60B3 IC25 = 60A IXGR48N60B3D1 (Electrically Isolated Back VCE(sat) 2.1V Surface) tfi(typ) = 116ns Medium-Speed Low-Vsat PT IGBTs 5-40 kHz Switching ISOPLUS247TM IXGR_B3 IXGR_B3D1 E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150

 5.1. Size:205K  ixys
 ixgr48n60c3d1.pdf pdf_icon

IXGR48N60B3D1

GenX3TM 600V IGBT VCES = 600V IXGR48N60C3D1 with Diode IC25 = 56A VCE(sat) 2.7V (Electrically Isolated Back Surface) tfi(typ) = 38ns High Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C IC

 9.1. Size:53K  ixys
 ixgr40n60b.pdf pdf_icon

IXGR48N60B3D1

VCES = 600 V IXGR 40N60B HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A IXGR 40N60BD1 ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.1 V (Electrically Isolated Backside) tfi(typ) = 180 ns (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E153432 VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G IC25 TC = 25 C 70 A C E Isolated Backsi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGR40N60B, IXGR40N60B2, IXGR40N60B2D1, IXGR40N60C, IXGR40N60C2, IXGR40N60C2D1, IXGR40N60CD1, IXGR48N60B3, IXRH40N120, IXGR48N60C3D1, IXGR50N160H1, IXGR50N60A2U1, IXGR50N60B, IXGR50N60B2, IXGR50N60B2D1, IXGR50N60BD1, IXGR50N60C2